精準(zhǔn)定位，真實(shí)暴露
徠卡電鏡制樣為
半導(dǎo)體失效分析提供決定性起點(diǎn)

當(dāng)你的FIB還在為尋找那個(gè)確切的失效點(diǎn)而耗時(shí)數(shù)小時(shí)，徠卡顯微系統(tǒng)的制樣方案已讓目標(biāo)界面在電鏡下清晰呈現(xiàn)。
半導(dǎo)體失效分析工程師都明白一個(gè)殘酷現(xiàn)實(shí)：制樣階段的任何偏差，都會(huì)導(dǎo)致后續(xù)數(shù)百萬(wàn)電鏡分析走向錯(cuò)誤方向。 隨著芯片工藝進(jìn)入3納米時(shí)代，傳統(tǒng)制樣方法已無(wú)法滿足對(duì)3D封裝、異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的分析需求。
徠卡顯微系統(tǒng)電鏡制樣系統(tǒng)通過(guò) “光學(xué)精確定位+無(wú)應(yīng)力加工” 的組合，確保您從第一微米就走在正確的分析道路上。

核心痛點(diǎn)：為什么你的失效分析總在第一步就輸了？

1、定位失準(zhǔn)：在復(fù)雜封裝結(jié)構(gòu)中，無(wú)法精準(zhǔn)定位到微米級(jí)失效點(diǎn)，浪費(fèi)時(shí)間在非目標(biāo)區(qū)域
2、假象引入：機(jī)械切割帶來(lái)的熱損傷和應(yīng)力變形，掩蓋真實(shí)失效機(jī)理
3、效率低下：單個(gè)樣品前處理耗時(shí)數(shù)小時(shí)甚至數(shù)天，延誤問(wèn)題解決周期
4、結(jié)果不可靠：制樣不一致導(dǎo)致分析結(jié)果無(wú)法復(fù)現(xiàn)，影響根本原因判斷

徠卡顯微系統(tǒng)解決方案：專為半導(dǎo)體失效
分析設(shè)計(jì)的制樣系統(tǒng)

精研一體機(jī) (EM TXP) + 三離子束研磨儀 (EM TIC 3X) 組合方案

1、精準(zhǔn)到微米的定位能力：集成高分辨率光學(xué)系統(tǒng)，加工同時(shí)實(shí)時(shí)觀察，實(shí)現(xiàn)“所見即所得”的定點(diǎn)制樣
2、零應(yīng)力損傷的最終表面：三離子束拋光技術(shù)徹底去除機(jī)械損傷層，暴露材料真實(shí)結(jié)構(gòu)，無(wú)熱影響區(qū)
3、應(yīng)對(duì)各種材料的靈活性：從硬質(zhì)SiC到軟質(zhì)聚合物，從室溫到-150°C冷凍切割，全覆蓋半導(dǎo)體材料
4、行業(yè)驗(yàn)證的可靠性：全球頂尖半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室選擇，為3D IC、先進(jìn)封裝、功率器件提供可信制樣基礎(chǔ)

Leica EM TXP

Leica EM TIC 3X
應(yīng)用場(chǎng)景：解決您的具體分析難題

先進(jìn)封裝失效分析

• 3D IC芯片堆疊界面分層
• TSV硅通孔缺陷定位

• 微凸點(diǎn)連接失效分析

前道工藝缺陷排查

• 晶體管柵極結(jié)構(gòu)截面

• 接觸孔形貌表征

• 薄膜界面質(zhì)量評(píng)估

功率電子器件分析

• SiC/GaN器件界面缺陷

• 散熱結(jié)構(gòu)完整性

• 鍵合線連接可靠性

案例展示

01. 面板觀察表面：逐層拋光，去除薄膜二極管或電路表面有機(jī)層（LM image）

離子拋光前

離子拋光后

機(jī)械研磨（EM TXP）

機(jī)械研磨（EM TXP）

為什么實(shí)驗(yàn)室選擇徠卡

1、速度與精度的平衡：數(shù)小時(shí)內(nèi)完成從宏觀樣品到電鏡可觀察樣品的制備

2、結(jié)果的可重復(fù)性：程序化存儲(chǔ)加工參數(shù)，確保批次分析結(jié)果一致可比

3、完整的生態(tài)支持：從制樣到鍍膜再到傳輸，提供一站式解決方案，無(wú)縫對(duì)接各品牌電鏡

4、全球?qū)＜揖W(wǎng)絡(luò)：資深應(yīng)用團(tuán)隊(duì)提供半導(dǎo)體專項(xiàng)支持，分享最新制樣方法與技巧

為您的電鏡分析提供無(wú)可置疑的起點(diǎn)

徠卡顯微系統(tǒng)制樣系統(tǒng)確保您的失效分析從第一步就建立在精準(zhǔn)、真實(shí)、高效的基礎(chǔ)上。當(dāng)樣品完美制備，電鏡下的真相自然浮現(xiàn)。