紫外的應用點

紫外成像可以獲得比可見光成像更高的分辨率，能夠量測更小的尺寸及分辨更小的缺陷。廣泛應用于晶圓和掩膜版關鍵尺寸(CD)測量及缺陷分析。

（基于瑞利公式對比，基于紫外光和可見光波段相比，基于相同0.9NA物鏡對比）



 

什么是關鍵尺寸

晶圓 / 掩膜版的CD（關鍵尺寸），是芯⽚微結(jié)構(gòu)中決定器件性能、制程良率的核心線寬 / 間距 / 孔徑，是光刻、量測環(huán)節(jié)需極致精準控制的核心指標。

現(xiàn)有主流CD測量方案

受限于可見光的極限分辨率影響，如果關鍵尺寸低于350納米左右，現(xiàn)有客戶會選擇CD-SEM進行量測工作。

CD-SEM和紫外的優(yōu)缺點對比

CD-SEM（CD掃描電鏡）的分辨率可以達到納米甚至亞納米，廣泛應用于先進制程20納米的CD測量。但CD-SEM造價昂貴，且測量速度不如傳統(tǒng)光學檢測，對于250-350納米區(qū)間的成熟制程屬于過度配置方案，在該區(qū)域市面缺少合適的方案。

徠卡紫外方案

徠卡紫外成像系統(tǒng)搭載365納米紫外LED光源與150倍0.9NA紫外專用物鏡，實測可實現(xiàn)理論最低250納米左右的尺寸量測，以及3σ 5納米的重復精度。

徠卡紫外成像方案在該成熟制程區(qū)間可以給客戶提供更快的測量速度以及根據(jù)性價比的方案。

徠卡紫外方案內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡介 

• ‍反射內(nèi)部光軸集成了電動可切換的長壽命白光LED與UV LED光源

• ‍一鍵切換白光照明與UV照明，無需重新對焦，可編碼照明設置

• 光源完全集成在內(nèi)部，幾乎無熱量產(chǎn)生，確保潔凈間的良好環(huán)境
  
  150倍可見光明場和150倍UV 效果對比
  
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