QSense EQCM-D揭示離子-電子導(dǎo)體與電化學(xué)晶體管的界面動(dòng)力學(xué)機(jī)制
布倫瑞克工業(yè)大學(xué)Liubov Bakhchova團(tuán)隊(duì)Materials Chemistry Frontiers綜述：應(yīng)用QSense EQCM-D技術(shù)揭示有機(jī)混合離子-電子導(dǎo)體與電化學(xué)晶體管的界面動(dòng)力學(xué)機(jī)制
研究背景
有機(jī)電化學(xué)晶體管（Organic Electrochemical Transistors, OECTs）正迅速崛起為生物電子學(xué)、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和柔性傳感領(lǐng)域的核心器件平臺(tái)。這類(lèi)器件以有機(jī)混合離子-電子（半）導(dǎo)體（OMIECs）作為溝道材料，憑借其優(yōu)異的跨導(dǎo)特性、高靈敏度、生物相容性、機(jī)械柔性和低電壓操作等優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出傳統(tǒng)硅基器件難以比擬的應(yīng)用潛力。近年來(lái)，高性能OMIECs材料的合成取得了顯著進(jìn)展，特別是基于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)（PEDOT）及其衍生物的p型共軛聚合物，以及基于苯并咪唑并苯菲咯啉（BBL）等骨架的n型梯形聚合物，為OECT器件的性能提升奠定了材料基礎(chǔ)。
然而，OECT技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向商業(yè)化應(yīng)用仍面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性不足是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸，且高穩(wěn)定性往往伴隨著電導(dǎo)率調(diào)制效率的降低，反之亦然。此外，器件響應(yīng)速度與跨導(dǎo)性能之間的權(quán)衡、離子電荷積累效率與電子遷移率之間的矛盾，以及電化學(xué)摻雜/去摻雜過(guò)程中復(fù)雜的界面動(dòng)力學(xué)機(jī)制，都使得材料設(shè)計(jì)和器件優(yōu)化變得異常困難。更為棘手的是，傳統(tǒng)的電學(xué)測(cè)量手段雖然能夠提供器件性能參數(shù)，卻難以揭示溝道材料內(nèi)部發(fā)生的微觀過(guò)程——離子如何從電解液注入有機(jī)半導(dǎo)體薄膜？水分子如何影響材料的形態(tài)和傳輸特性？電荷載體與離子之間的耦合效率如何？這些問(wèn)題構(gòu)成了OECT研究中的"黑箱"，亟需能夠原位、實(shí)時(shí)、無(wú)標(biāo)記表征這些界面過(guò)程的分析工具。
正是在這一背景下，QSense耗散型電化學(xué)石英晶體微天平技術(shù)（Electrochemical Quartz Crystal Microbalance with Dissipation Monitoring, EQCM-D）應(yīng)運(yùn)而生，成為打開(kāi)OECT"黑箱"的一把鑰匙。
研究方法
QSense EQCM-D技術(shù)將傳統(tǒng)的石英晶體微天平（QCM）與電化學(xué)工作站相結(jié)合，通過(guò)監(jiān)測(cè)石英晶體諧振器的頻率變化（Δf）和能量耗散變化（ΔD），實(shí)現(xiàn)對(duì)電極表面納克級(jí)質(zhì)量變化的實(shí)時(shí)檢測(cè)，同時(shí)獲取薄膜的粘彈性力學(xué)信息。其基本原理可概括為：當(dāng)交變電壓施加于AT切型石英晶體時(shí)，晶體以厚度剪切模式振蕩；表面負(fù)載的質(zhì)量變化會(huì)引起諧振頻率的偏移，而薄膜的粘彈性性質(zhì)則反映在能量耗散因子的變化中。
圖一（原文圖3）QSense EQCM-D三電極體系結(jié)構(gòu)圖
在典型的QSense EQCM-D實(shí)驗(yàn)配置中（圖3），研究人員采用三電極體系：OMIEC涂覆的石英晶體作為工作電極，鉑絲作為對(duì)電極，Ag/AgCl作為參比電極。電解液以恒定流速泵入測(cè)量腔室，確保溶液組成的穩(wěn)定性。通過(guò)將循環(huán)伏安法（CV）或電位階躍等電化學(xué)技術(shù)與QCM-D聯(lián)用，可同時(shí)記錄電化學(xué)電流、質(zhì)量變化和耗散因子，從而建立電化學(xué)過(guò)程與質(zhì)量傳輸之間的定量關(guān)聯(lián)。
數(shù)據(jù)處理方面，對(duì)于剛性薄膜可采用Sauerbrey方程將頻率偏移轉(zhuǎn)換為質(zhì)量變化；而對(duì)于溶脹后的粘彈性軟膜，則需采用Kelvin-Voigt或Maxwell等粘彈性模型，結(jié)合多倍頻數(shù)據(jù)（通常為第3、5、7、9等奇數(shù)倍頻）進(jìn)行擬合分析。穿透深度公式δ = √(η/πnf₀ρ) 揭示了不同倍頻信號(hào)對(duì)薄膜不同深度區(qū)域的敏感性，為深度分辨的界面分析提供了可能。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
1. OMIEC薄膜的質(zhì)量-厚度演變與粘彈性特征
QSense EQCM-D為OMIEC薄膜在干態(tài)和電解液浸泡態(tài)下的厚度演變提供了精確的定量表征。以DTP基半導(dǎo)體聚合物為例（圖4），研究人員對(duì)比了inDTP-T和outDTP-T兩種區(qū)域異構(gòu)體薄膜在0.1 M NaCl電解液中的行為。干態(tài)下，兩種聚合物薄膜厚度相近（約60 nm），但浸入電解液后表現(xiàn)出顯著差異的被動(dòng)溶脹行為。施加0.8 V氧化脈沖后，inDTP-T薄膜的質(zhì)量增加達(dá)3.1 μg cm⁻²，而outDTP-T僅為2.5 μg cm⁻²，這一差異與其體積電容（C = 162 vs. 117 F cm⁻³）密切相關(guān)。
圖二（原文圖4c-f）：頻率偏移（第5倍頻）與計(jì)算厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系，清晰展示了從干態(tài)（虛線）到電解液浸泡態(tài)（實(shí)線）的被動(dòng)溶脹過(guò)程，以及氧化脈沖誘導(dǎo)的主動(dòng)質(zhì)量吸收。
更為關(guān)鍵的是耗散因子的變化模式。inDTP-T在氧化過(guò)程中ΔD變化極小，表明其骨架平面性和鏈間堆積保持良好，機(jī)械剛性較高；而outDTP-T的耗散顯著增加，反映出其區(qū)域化學(xué)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的較差堆積有序性，在離子注入后發(fā)生明顯的粘彈性軟化。這一微觀力學(xué)差異與宏觀電荷傳輸性能（空穴遷移率）呈現(xiàn)出明確的構(gòu)效關(guān)系，驗(yàn)證了QSense EQCM-D作為結(jié)構(gòu)-性能關(guān)聯(lián)分析工具的獨(dú)特價(jià)值。
2. 水吸收與離子注入的定量解耦
OECT器件在水系電解液中運(yùn)行時(shí)，溝道材料的水化狀態(tài)直接決定其離子傳輸效率和電學(xué)性能。QSense EQCM-D技術(shù)通過(guò)精確測(cè)量電化學(xué)過(guò)程中的總質(zhì)量變化，結(jié)合電荷積分計(jì)算的離子物質(zhì)的量，實(shí)現(xiàn)了水吸收與離子注入的定量解耦。
以n型聚合物p(R-NDI-T2)系列為例（圖5），側(cè)鏈長(zhǎng)度從1g到3g的系統(tǒng)性變化顯著影響了薄膜的溶脹行為。被動(dòng)溶脹階段，具有更長(zhǎng)親水性三甘醇側(cè)鏈的p(3g-NDI-T2)表現(xiàn)出最高的體積膨脹率；而在電化學(xué)摻雜誘導(dǎo)的主動(dòng)溶脹過(guò)程中，三種聚合物的質(zhì)量增加與注入的Na⁺離子數(shù)量呈線性關(guān)系。通過(guò)假設(shè)1:1的電子-離子耦合比，研究人員計(jì)算出每個(gè)Na⁺伴隨的水分子數(shù)，發(fā)現(xiàn)側(cè)鏈工程可有效調(diào)控材料的水化能力。
圖三（原圖5b-f） 被動(dòng)溶脹百分比、相對(duì)主動(dòng)溶脹、注入Na⁺離子數(shù)和水吸收的定量分析，揭示了側(cè)鏈化學(xué)結(jié)構(gòu)對(duì)混合傳輸性質(zhì)的調(diào)控規(guī)律。
對(duì)于PEDOT:PSS體系，QSense EQCM-D研究進(jìn)一步揭示了交聯(lián)密度對(duì)水吸收的調(diào)控機(jī)制。含1 wt% GOPS（3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷）交聯(lián)劑的薄膜相比0.1 wt%樣品表現(xiàn)出更低的耗散變化，說(shuō)明更強(qiáng)的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)限制了水和離子的自由滲透，形成了更為剛性的結(jié)構(gòu)。這一微觀結(jié)構(gòu)差異直接影響了器件的充電動(dòng)力學(xué)和響應(yīng)速度。
3. 瞬態(tài)質(zhì)量-電荷傳輸動(dòng)力學(xué)
OECT器件的開(kāi)關(guān)速度和頻率響應(yīng)受限于溝道材料內(nèi)部的離子和電荷傳輸動(dòng)力學(xué)。傳統(tǒng)電學(xué)測(cè)量?jī)H能提供電流響應(yīng)信息，而QSense EQCM-D則首次實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量傳輸過(guò)程的實(shí)時(shí)追蹤，為理解速率限制步驟提供了直接證據(jù)。
Wu等人對(duì)PEDOT:PSS薄膜的系統(tǒng)性研究（圖6）揭示了一個(gè)重要發(fā)現(xiàn)：離子遷移并非OECT動(dòng)態(tài)性能的本征限制因素。電位階躍實(shí)驗(yàn)中，頻率偏移（質(zhì)量變化）呈現(xiàn)雙階段特征——快速轉(zhuǎn)變?cè)趤喢爰?jí)完成，其時(shí)間尺度約為RC時(shí)間常數(shù)的一半，對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的離子快速遷移；而隨后的慢過(guò)程持續(xù)數(shù)十秒，反映離子-水分子重排和結(jié)構(gòu)松弛。這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了此前認(rèn)為離子運(yùn)動(dòng)固有緩慢的普遍假設(shè)，表明通過(guò)材料工程優(yōu)化離子傳輸路徑可進(jìn)一步提升器件響應(yīng)速度。
圖四：（原圖6a-c）電位波形、歸一化電荷密度與頻率偏移的時(shí)間演化，以及去摻雜/再摻雜過(guò)程的三步機(jī)理示意圖。
對(duì)于較厚的OMIEC層（>200 nm），QSense EQCM-D的多倍頻分析揭示了空間非均勻的傳輸動(dòng)力學(xué)。高倍頻信號(hào)（探測(cè)深度較淺）顯示電極界面附近的質(zhì)量積累更為顯著，與X射線光電子能譜（XPS）深度分析結(jié)果相互印證�；谶@些發(fā)現(xiàn)，研究人員提出了分層動(dòng)力學(xué)模型，將復(fù)雜的傳輸過(guò)程分解為快速極化、電荷轉(zhuǎn)移和慢速機(jī)械松弛三個(gè)時(shí)間域，為OECT器件的瞬態(tài)行為預(yù)測(cè)提供了理論框架。
4. 離子-電子耦合效率的定量評(píng)估
離子-電子耦合效率——即注入的離子中有多少有效轉(zhuǎn)化為電荷載流子——是決定OECT跨導(dǎo)性能的核心參數(shù)，但長(zhǎng)期以來(lái)缺乏可靠的實(shí)驗(yàn)測(cè)定方法。Savva等人發(fā)展的QSense EQCM-D分析方法（圖7）通過(guò)同步測(cè)量質(zhì)量變化和電荷轉(zhuǎn)移，首次實(shí)現(xiàn)了這一關(guān)鍵效率因子的定量提取。
在0.1 M NaCl電解液中對(duì)�。s170 nm）和厚（約300 nm）PEDOT:PSS薄膜的對(duì)比研究表明：對(duì)于薄膜，當(dāng)假設(shè)每個(gè)Na⁺攜帶兩個(gè)水分子時(shí)，離子-空穴耦合效率在大部分電位范圍內(nèi)接近1，意味著近乎完全的電荷轉(zhuǎn)換；而對(duì)于厚膜，在低去摻雜電壓下（-0.7 < V < Voc），該比值僅約0.2，即每移除一個(gè)空穴需要注入約三個(gè)Na⁺和四個(gè)水分子。這種厚度依賴(lài)性源于厚膜中離子傳輸路徑較長(zhǎng)，部分注入的陽(yáng)離子未能有效參與PEDOT的還原反應(yīng)，而是滯留在傳輸通道中。
圖五：（原圖7d-g） 提取空穴數(shù)與注入Na⁺數(shù)的電位依賴(lài)性，以及不同水合狀態(tài)下離子-電子耦合效率的定量對(duì)比。
氮?dú)怙柡团c空氣飽和環(huán)境的對(duì)照實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步揭示了氧還原反應(yīng)（ORR）對(duì)電流貢獻(xiàn)的影響。在N₂環(huán)境中測(cè)得的還原電流顯著降低，但離子注入數(shù)量保持不變，導(dǎo)致表觀耦合效率的輕微下降。這一發(fā)現(xiàn)強(qiáng)調(diào)了控制測(cè)量環(huán)境對(duì)于準(zhǔn)確評(píng)估材料本征性能的重要性。
5. 電化學(xué)穩(wěn)定性與不可逆過(guò)程機(jī)制
OECT器件的長(zhǎng)期循環(huán)穩(wěn)定性要求電化學(xué)摻雜/去摻雜過(guò)程具有高度可逆性，但實(shí)際材料體系中常發(fā)生離子捕獲、不可逆形態(tài)變化和化學(xué)降解。QSense EQCM-D通過(guò)監(jiān)測(cè)循環(huán)過(guò)程中的質(zhì)量-電荷關(guān)系演變，為識(shí)別這些退化機(jī)制提供了靈敏的診斷工具。
對(duì)區(qū)域無(wú)規(guī)P3HT（RRa-P3HT）薄膜的研究（圖8a-f）顯示，經(jīng)過(guò)50次CV循環(huán)后，薄膜厚度從53±5 nm增加至105±12 nm，質(zhì)量持續(xù)累積而電荷響應(yīng)逐漸衰減，表明發(fā)生了嚴(yán)重的不可逆離子捕獲。這種捕獲的離子在再摻雜過(guò)程中形成電子隔離區(qū)域，降低了有效體積電容，最終導(dǎo)致器件性能退化。
圖六：（圖8b-f） 50次CV循環(huán)中的電位、累積電荷、質(zhì)量變化演變，以及AFM驗(yàn)證的厚度增加。
相比之下，n型梯形聚合物BBL表現(xiàn)出截然不同的行為模式（圖8g-i）。首次還原過(guò)程中發(fā)生顯著的不可逆主動(dòng)溶脹，這是由于電化學(xué)摻雜誘導(dǎo)的強(qiáng)親水性環(huán)境形成；隨后的循環(huán)中，質(zhì)量變化呈現(xiàn)良好的可逆性。分子量的影響也十分顯著：高分子量BBL（BBL_H）每個(gè)陽(yáng)離子伴隨20-30個(gè)水分子，而低分子量樣品（BBL_L）僅5-7個(gè)，反映出不同的水化程度和微觀結(jié)構(gòu)特征。
側(cè)鏈工程對(duì)穩(wěn)定性的調(diào)控作用在p([g_x:a_y]NDI-g3T2)聚合物系列中得到明確驗(yàn)證（圖8k-l）。隨著疏水性烷基側(cè)鏈比例從0%增加至25%，循環(huán)后的凈質(zhì)量增加從604%急劇降至32%，證明適度的疏水化可有效抑制過(guò)量水吸收和離子捕獲，同時(shí)保持可逆的雙極化子形成能力。
6. 氧還原反應(yīng)的識(shí)別與抑制
ORR作為非電容性法拉第副反應(yīng)，在特定條件下可顯著貢獻(xiàn)于總電流，干擾OECT性能評(píng)估。QSense EQCM-D通過(guò)對(duì)比有氧和無(wú)氧環(huán)境中的質(zhì)量-電流關(guān)系，可有效識(shí)別和量化ORR的貢獻(xiàn)。
對(duì)BBL薄膜的研究表明，ORR可占總電荷的10-18%，且分子量越高，ORR貢獻(xiàn)越大。通過(guò)PCBM（[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯）等小分子鈍化層的引入，可有效抑制BBL層的ORR敏感性，同時(shí)不顯著干擾正常的離子傳輸。對(duì)于p(g2T-TT):PrC60MA雙極性共混體系，QSense EQCM-D清晰區(qū)分了p型組分的Cl⁻注入（低質(zhì)量增益）和n型組分的K⁺注入（高質(zhì)量增益），并揭示了PrC60MA較淺的LUMO能級(jí)導(dǎo)致的顯著ORR貢獻(xiàn)。
7. 薄膜生長(zhǎng)與界面組裝機(jī)制
QSense EQCM-D不僅適用于器件運(yùn)行狀態(tài)下的表征，還可用于OMIEC薄膜的制備過(guò)程監(jiān)控。對(duì)EDOT電化學(xué)聚合的研究（圖10）實(shí)時(shí)追蹤了單體吸附、鏈增長(zhǎng)、聚合物沉積和過(guò)度氧化的全過(guò)程。頻率-電荷和吸光度-電荷關(guān)系的非線性特征表明，電荷消耗并不總是與PEDOT生長(zhǎng)直接相關(guān)，過(guò)高電位導(dǎo)致的過(guò)度氧化會(huì)造成與薄膜形成無(wú)關(guān)的電荷損失。
圖七：（原文圖10c-f） PEDOT-PBA分子印跡聚合物（MIP）與非印跡聚合物（NIP）電沉積過(guò)程中的頻率、耗散和質(zhì)量變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。
分子印跡技術(shù)的應(yīng)用中，QSense EQCM-D成功區(qū)分了模板分子存在（MIP）與不存在（NIP）時(shí)的聚合行為，MIP薄膜因非導(dǎo)電性葡萄糖模板的存在而沉積質(zhì)量較低（8294 vs. 12618 ng cm⁻²），模板洗脫后的質(zhì)量損失（約306 ng cm⁻²）證實(shí)了選擇性結(jié)合位點(diǎn)的形成。
層層組裝（LbL）過(guò)程的監(jiān)控（圖10g-j）展示了QCM-D在評(píng)估聚電解質(zhì)多層膜生長(zhǎng)方面的能力。PEDOT-PAH基底上PSS/PDDA交替沉積的頻率階梯式下降和耗散的微小變化，表明形成了均勻、彈性的薄膜結(jié)構(gòu)，與表面等離子體共振（SPR）數(shù)據(jù)的高度一致性驗(yàn)證了測(cè)量可靠性。
8. 生物界面相互作用
OECT器件的核心應(yīng)用在于生物傳感與生物電子接口，QSENSE EQCM-D在表征OMIEC與蛋白質(zhì)、細(xì)胞、葡萄糖等生物分子的相互作用方面展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
對(duì)三種聚噻吩基聚合物（P1、P2、P3）的研究（圖11）結(jié)合電化學(xué)循環(huán)和蛋白質(zhì)吸附實(shí)驗(yàn)，揭示了側(cè)鏈結(jié)構(gòu)對(duì)生物界面性能的影響。具有橋接羰基酯基團(tuán)的P2在CV循環(huán)中表現(xiàn)出最顯著的離子交換能力和可逆性，同時(shí)在牛血清白蛋白（BSA）吸附測(cè)試中顯示出優(yōu)異的抗污性能，這歸因于其表面豐富的未結(jié)合PEG基團(tuán)對(duì)非特異性蛋白附著的抑制作用。
圖八：（原圖11d-i） 三種聚合物薄膜在CV循環(huán)和BSA吸附/脫附過(guò)程中的頻率-耗散實(shí)時(shí)響應(yīng)。
對(duì)PEDOT-PC（磷酸膽堿功能化）等兩性離子導(dǎo)電聚合物的QSENSE EQCM-D研究進(jìn)一步證明，表面電位可調(diào)控蛋白質(zhì)吸附行為：C反應(yīng)蛋白（CRP）的結(jié)合在+0.5 V和-0.5 V下均增強(qiáng)，而牛血清白蛋白和溶菌酶則無(wú)此電位依賴(lài)性。耗散變化的模式差異——CRP吸附導(dǎo)致耗散下降（剛性層，水分子釋放），非特異性吸附導(dǎo)致耗散上升（軟層，水合層保留）——為區(qū)分特異性與非特異性生物識(shí)別提供了力學(xué)判據(jù)。
結(jié)論與展望
QSense EQCM-D技術(shù)已成為OMIECs和OECTs研究領(lǐng)域中不可或缺的分析工具。本綜述系統(tǒng)闡述了該技術(shù)在以下方面的核心貢獻(xiàn)：
（1）實(shí)現(xiàn)離子注入、水吸收和形態(tài)變化的實(shí)時(shí)定量監(jiān)測(cè)；
（2）揭示離子-電子耦合效率的厚度依賴(lài)性和材料特異性；
（3）識(shí)別電化學(xué)循環(huán)中的可逆與不可逆過(guò)程機(jī)制；
（4）評(píng)估氧還原反應(yīng)等副反應(yīng)的貢獻(xiàn)；
（5）指導(dǎo)薄膜制備和界面工程的優(yōu)化；
（6）解析生物界面相互作用的力學(xué)特征。
展望未來(lái)，QSense EQCM-D方法學(xué)的發(fā)展將聚焦于以下幾個(gè)方向：
- 與光譜技術(shù)（紫外-可見(jiàn)、拉曼、光譜電化學(xué)）的原位聯(lián)用，實(shí)現(xiàn)質(zhì)量-力學(xué)變化與結(jié)構(gòu)-電子性質(zhì)的關(guān)聯(lián)分析；
- 時(shí)間分辨測(cè)量的時(shí)間尺度拓展，以捕捉更接近實(shí)際器件運(yùn)行條件的瞬態(tài)過(guò)程；與OECT器件原位測(cè)量的整合，建立材料表征參數(shù)與器件性能的直接映射；
- 多組分OMIEC體系（共混物、摻雜-主體體系、雙極性材料）的復(fù)雜動(dòng)力學(xué)解析；
- 以及更精細(xì)的粘彈性模型開(kāi)發(fā)，以準(zhǔn)確解耦溶劑吸收、離子插入和機(jī)械響應(yīng)的貢獻(xiàn)。
隨著這些技術(shù)進(jìn)步的實(shí)現(xiàn)，QSense EQCM-D有望為下一代高性能、高穩(wěn)定性O(shè)ECT器件的材料設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化提供更為強(qiáng)大的科學(xué)支撐，加速有機(jī)生物電子學(xué)從基礎(chǔ)研究向臨床轉(zhuǎn)化和商業(yè)化應(yīng)用的邁進(jìn)。
基金支持
本工作得到歐盟"地平線歐洲"研究與創(chuàng)新計(jì)劃UNLOOC項(xiàng)目（HORIZON-KDT-JU-2023）資助。
原文鏈接
https://doi.org/10.1039/D5QM00754B
作者簡(jiǎn)介
Nikolay Mukhin，布倫瑞克工業(yè)大學(xué)CMOS設(shè)計(jì)研究所研究員，研究方向包括生物與化學(xué)傳感器、超材料、固體和流體過(guò)程計(jì)算建模。
Liubov Bakhchova（通訊作者），布倫瑞克工業(yè)大學(xué)CMOS設(shè)計(jì)研究所"生物醫(yī)學(xué)系統(tǒng)"研究組組長(zhǎng)，博士畢業(yè)于馬格德堡大學(xué)，研究方向?yàn)槲⒘骺�、傳感器與電子系統(tǒng)集成，專(zhuān)注于導(dǎo)電聚合物微結(jié)構(gòu)化和生物傳感器開(kāi)發(fā)。
Andreas Dietzel，布倫瑞克工業(yè)大學(xué)微技術(shù)研究所所長(zhǎng)、教授，曾任埃因霍溫理工大學(xué)全職教授，研究領(lǐng)域涵蓋微納尺度工程、傳感器系統(tǒng)和制藥工程。
Vadim Issakov，布倫瑞克工業(yè)大學(xué)CMOS設(shè)計(jì)研究所全職教授，曾任英飛凌科技毫米波設(shè)計(jì)負(fù)責(zé)人，研究方向包括毫米波電路、射頻系統(tǒng)和射頻靜電放電保護(hù)。
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