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原子層沉積ALD在OLED方面的應(yīng)用

瀏覽次數(shù):1545 發(fā)布日期:2023-8-8  來源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)

        隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,電致發(fā)光器件(Light Emitting Diode,LED)已成為當(dāng)前極具發(fā)展前景的顯示,有著傳統(tǒng)顯示技術(shù)不可比擬的優(yōu)勢。其中有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode, OLED)因其輕薄、視角廣、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)成為公認(rèn)的新一代顯示技術(shù)。但是OLED器件對(duì)水和空氣極為敏感,為保證OLED器件的壽命,通常要求封裝材料的水汽透過率(WVTR)小于10-6 g/(m2·day)。

     傳統(tǒng)的OLED封裝技術(shù)通常利用厚膜,甚至高分子聚合物/玻璃進(jìn)行封裝,以達(dá)到預(yù)期的阻隔性能。這些傳統(tǒng)的封裝技術(shù)導(dǎo)致OLED保護(hù)層厚度增加,從而導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度減弱。厚膜還會(huì)增加顯示器件的硬度,不適合用于彎曲或者折疊的顯示器。


      原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技術(shù)是一種原子尺度的薄膜制備技術(shù),沉積的薄膜均勻性好、材料致密、厚度精確可控且工藝溫度適中,是超高阻隔膜的理想制備方法,可完美兼容OLED器件的封裝,大大延長其壽命。

      
幾十納米厚度的ALD封裝膜甚至可媲美傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)的阻隔效果,同時(shí)具有良好的透光率、熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕性及與基底的粘結(jié)性等性質(zhì);ALD封裝薄膜因其納米級(jí)的膜厚,可以實(shí)現(xiàn)很大程度上的彎曲并保持封裝效果不變,這一特性可完美兼容柔性O(shè)LED器件封裝,真正做到顯示屏的可折疊、卷曲;ALD薄膜優(yōu)異的保型性使其在一些復(fù)雜形貌和三維納米結(jié)構(gòu)的LED表面實(shí)現(xiàn)出色的鈍化保護(hù)層,有效地起到阻隔水氧的作用,提高性能;用ALD在LED表面沉積鈍化膜還可以很好地修補(bǔ)被等離子刻蝕造成的破壞性表面,可有效降低漏電流,顯著提高LED效率。

 

圖一在ITO-聚酯膜上制備的柔性O(shè)LED顯示單元
 


圖二:OLED封裝類型及不同柔性需求對(duì)應(yīng)的水汽透過率

發(fā)布者:北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司
聯(lián)系電話:010-64415767,010-64448295
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標(biāo)簽: 原子層沉積 ALD OLED
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